因產(chǎn)品配置不同，價(jià)格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。

上海伯東美國(guó) KRi 大口徑射頻離子源 RFICP 380, 3層?xùn)艠O設(shè)計(jì), 柵極口徑 38cm, 提供離子動(dòng)能 100-1200eV 寬束離子束, 最大離子束流 > 1000mA, 滿足 300 mm (12英寸)晶圓應(yīng)用.

KRI 射頻離子源 RFICP 380 特性：

1.       放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術(shù)提供高密度離子, 工藝時(shí)間更長(zhǎng). 2kW & 1.8 MHz, 射頻自動(dòng)匹配

2.       離子源結(jié)構(gòu)模塊化設(shè)計(jì)

3.       離子光學(xué), 自對(duì)準(zhǔn)技術(shù), 準(zhǔn)直光束設(shè)計(jì), 自動(dòng)調(diào)節(jié)技術(shù)保障柵極的使用壽命和可重復(fù)的工藝運(yùn)行

4.       全自動(dòng)控制器

5.       離子束動(dòng)能 100-1200eV

6.       柵極口徑 38cm, 滿足 300 mm (12英寸)晶圓應(yīng)用

射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)規(guī)格：

上海伯東美國(guó)考夫曼 KRI 大口徑射頻離子源 RFICP 220, RFICP 380 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸磁存儲(chǔ)器刻蝕機(jī), 8英寸量產(chǎn)型金屬刻蝕機(jī)中, 實(shí)現(xiàn) 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蝕工藝, 適用于 IC, 微電子,光電子, MEMS 等領(lǐng)域.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.

若您需要進(jìn)一步的了解產(chǎn)品詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)聯(lián)絡(luò)上海伯東鄧女士, 分機(jī)134